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2006年中国大陆半导体分立器件出口预计增长35.2%
作者:佚名    文章来源:EDN    更新时间:2006-12-15 18:46:34
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 据EDN中国网站报道,海关总署统计数据显示,中国大陆半导体分立器件2001~2005年出口额从13.76亿美元增长到42.49亿美元,年复合增长率达32.5%;进口额从37.32亿美元增长到112.47亿美元,年复合增长率为31.7%,均稍低于出口增长率。2005年出口额增长速度达29.9%,预计2006年可达35.2%,而进口额增长速度2005年仅为15.2%,预计2006年将降到10.7%,并将逐年下降。这说明中国大陆半导体分立器件的生产和出口能力在逐年提升。

 
  据信息产业部统计,中国大陆半导体分立器件的产量从2001年的500亿只左右增长到2005年的2063亿只,年复合增长率达42.5%,预计2006年的产量将达2696亿只,同比增长30.7%。这种持续高速增长的动力主要是中国大陆电子整机产量近几年以20%以上的速度增长。2006年1~8月份,移动手机、微型计算机、显示器、数码相机产量分别比2005年同期增长了60.4%、32.1%、49.4%和36.0%,半导体分立器件产量也相应同比增长41.9%。
 
  中国大陆半导体分立器件市场需求虽然不断增长,但是进口产品一直占据主导地位,2005年占中国总市场的85.4%,预计2006年要占到八成。据海关总署统计,2006年1~8月份中国大陆半导体分立器件累计出口总额为38.29亿美元,同比增长46.8%,而累计进口总额为83.04亿美元,同比增长20.8%。进出口金额逆差为44.75亿美元,进口额仍远大于出口额。其中进出口额逆差较大的分别是耗散功率小于1瓦的晶体管、二极管和耗散功率1瓦及以上的晶体管,分别为11.16亿美元、8.52亿美元和6.48亿美元。
 
  2006年1~8月份中国大陆半导体分立器件累计进口额较大的是光敏半导体器件,发光二极管、耗散功率小于1瓦的晶体管及二极管分别为19.09亿美元、16.05亿美元和14.14亿美元,增长较快的是耗散功率1瓦及以上的晶体管、耗散功率小于1瓦的晶体管和已装配的压电晶体,分别为28.2%、22.8%和20.9%。累计出口额较大的是光敏半导体器件,发光二极管、二极管和已装配的压电晶体分别为14.85亿美元、5.62亿美元、5.23亿美元;增长较快的是光敏半导体器件,发光二极管、半导体开关元件和耗散功率1瓦及以上的晶体管,分别为105.6%、49.7%和40.0%。
责任编辑:罗提
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