英特尔公司日前宣布，从其45纳米高-k金属栅极处理器全部产品系列开始，英特尔下一代的处理器将实现百分之百的无铅化。

英特尔45纳米高-k产品系列包括下一代英特尔酷睿2双核、英特尔酷睿2四核以及英特尔至强处理器。采用最新45纳米高-k技术的处理器将于2007年下半年开始投产。

　　英特尔公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监Nasser Grayeli指出：“从淘汰铅的使用、致力于提高我们产品的能效，到降低空气排放和提高水及其他材料的循环利用，英特尔正积极地朝着环境可持续发展的目标迈进。”

　　铅被广泛的使用在多种微电子产品的封装中，包括象连接英特尔芯片到封装的凸焊点中都在使用铅。封装的作用是将硅芯片包装起来，使封装好的硅芯片可以最终连接到主板上。面向移动计算、台式机和服务器等特定细分市场的处理器会采用不同类型的封装。封装设计类型包括针脚矩阵(pin grid array)、球状矩阵(ball grid array)和板状矩阵(land grid array)等，而在英特尔下一代45纳米高-k技术中，这些封装都会实现百分之百无铅化。2008年，英特尔还将实现65纳米芯片组产品的百分之百无铅化。

　　英特尔的45纳米处理器不仅无铅，而且还会利用英特尔的高-k硅技术降低晶体管的漏电，使处理器的能效和性能都得到极大提升。英特尔公司的45纳米高-k硅技术还包括了第三代应变硅技术以改进驱动电流，同时利用低-k电介质降低互连电容，从而在提高性能的同时降低功率。最终，英特尔45纳米高-k处理器系列将能使台式机、笔记本电脑、移动互联网设备以及服务器设计变得更轻巧时尚，体积更小，能效更高。